BFG480W,115

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BFG480W,115概述

Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 360mW 4Pin3+Tab CMPAK T/R

In addition to offering the benefits of traditional BJTs, the RF amplifier from Semiconductors is perfect for high radio frequency power situations. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


得捷:
RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4


艾睿:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin 3+Tab CMPAK T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Newark:
Bipolar - RF Transistor, Wideband, NPN, 4.5 V, 21 GHz, 360 mW, 250 mA, 60 hFE


DeviceMart:
TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R


Win Source:
TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R


BFG480W,115中文资料参数规格
技术参数

频率 23000 MHz

极性 NPN

耗散功率 360 mW

击穿电压集电极-发射极 4.5 V

增益 16 dB

最小电流放大倍数hFE 40 @80mA, 2V

额定功率Max 360 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BFG480W,115
型号: BFG480W,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 360mW 4Pin3+Tab CMPAK T/R
替代型号BFG480W,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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完全替代

BFG480W,115和BFG480W,135的区别

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