Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 360mW 4Pin3+Tab CMPAK T/R
In addition to offering the benefits of traditional BJTs, the RF amplifier from Semiconductors is perfect for high radio frequency power situations. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.
得捷:
RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4
艾睿:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin 3+Tab CMPAK T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.25A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R
Newark:
Bipolar - RF Transistor, Wideband, NPN, 4.5 V, 21 GHz, 360 mW, 250 mA, 60 hFE
DeviceMart:
TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R
Win Source:
TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R
频率 23000 MHz
极性 NPN
耗散功率 360 mW
击穿电压集电极-发射极 4.5 V
增益 16 dB
最小电流放大倍数hFE 40 @80mA, 2V
额定功率Max 360 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 360 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
高度 1 mm
封装 SOT-343
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BFG480W,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BFG480W,135 恩智浦 | 完全替代 | BFG480W,115和BFG480W,135的区别 |
BFG480W 恩智浦 | 类似代替 | BFG480W,115和BFG480W的区别 |