NXP BFS17 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 15V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 25mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 1GHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 90 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN 1 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. APPLICATIONS A wide range of RF applications such as:Mixers and oscillators in TV tuners RF communications equipment. 描述与应用| NPN1 GHz的宽带 说明 在一个塑料SOT23封装的NPN晶体管。 应用 广泛的射频应用,如:混频器和振荡器在电视调谐器射频通讯设备。
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
最小电流放大倍数hFE 25
直流电流增益hFE 90
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial, RF Communications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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