BFP 650 H6327

INFINEON  BFP 650 H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE

SiGe 射频双极，

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。

### 双极晶体管，Infineon

得捷:
TRANS RF NPN 4V 150MA SOT343

贸泽:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR

艾睿:
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

DeviceMart:
TRANS RF NPN 4V 150MA SOT343