NXP BF862,215 射频场效应管, JFET, N沟道, 20V, 25mA, 3-SOT-23, 整卷
N 通道 JFET,
### JFET
一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
得捷:
JFET N-CH 20V 25MA SOT23
欧时:
NXP BF862,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=20 V, Idss: 10 → 25mA, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
贸泽:
RF JFET Transistors JFET N-CH 20V 10MA
艾睿:
Trans JFET N-CH 20V 40mA Si Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans JFET N-CH 20V 40mA 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
BF862 Series 20 V 25 mA Surface Mount N-Channel Junction FET - TO-236AB
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 20V 40mA Si Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 20V 40mA Si Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
JFET Transistor, Junction Field Effect, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET
RfMW:
Transistors
DeviceMart:
JFET N-CHAN 20V SOT-23
Win Source:
JFET N-CH 20V 25MA SOT23
额定电流 25 mA
击穿电压 -20.0 V
极性 N-Channel
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 20 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
额定电压 20 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
重量 0.003215970116 kg
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 信号处理, 音频, Signal Processing, Audio
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BF862,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BF862,235 恩智浦 | 完全替代 | BF862,215和BF862,235的区别 |
BF862 恩智浦 | 功能相似 | BF862,215和BF862的区别 |