NXP BC849CW,115 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFE
The is a NPN General Purpose Transistor in a plastic package. It is suitable for use in low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment.
得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT323
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
安富利:
* Low current max. 100 mA * Low voltage max. 45 V. * AEC-Q101 qualified
Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Newark:
# NXP BC849CW,115 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 30 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT323
Win Source:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT323
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 420
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Audio
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BC849CW,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BC849CW,135 恩智浦 | 完全替代 | BC849CW,115和BC849CW,135的区别 |
BAS70-04W 恩智浦 | 完全替代 | BC849CW,115和BAS70-04W的区别 |
BC848CW-7-F 美台 | 类似代替 | BC849CW,115和BC848CW-7-F的区别 |