BC849CW,115

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BC849CW,115概述

NXP  BC849CW,115  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFE

The is a NPN General Purpose Transistor in a plastic package. It is suitable for use in low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment.

.
PNP complements are BC859W and BC860W

得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT323


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
* Low current max. 100 mA * Low voltage max. 45 V. * AEC-Q101 qualified


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# NXP  BC849CW,115  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 30 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT323


Win Source:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT323


BC849CW,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 420

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Audio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BC849CW,115
型号: BC849CW,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BC849CW,115  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFE
替代型号BC849CW,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC849CW,115

NXP 恩智浦

当前型号

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完全替代

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