BC857BV

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BC857BV概述

NXP  BC857BV  双极晶体管阵列, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-666

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 100MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 200~450 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.4V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.3W 描述与应用 Description & Applications |  PNP型通用双   通用转换和放大。 技术文档PDF下载 | 在线阅读

BC857BV中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 200 mW

最小电流放大倍数hFE 200

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BC857BV
型号: BC857BV
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BC857BV  双极晶体管阵列, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-666
替代型号BC857BV
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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