BCM847BV,115

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BCM847BV,115概述

NXP  BCM847BV,115  双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-666

Bipolar BJT Transistor Array


得捷:
NEXPERIA BCM847BV - SMALL SIGNAL


e络盟:
NXP  BCM847BV,115  双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-666


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SOT-666 T/R


富昌:
BCM847BV 系列 45 V 100 mA NPN/NPN 匹配 双 晶体管 - SOT666


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SS-Mini T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


Newark:
# NXP  BCM847BV,115  Bipolar Transistor Array, NPN, 45 V, 300 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-666


DeviceMart:
TRANS NPN/NPN 45V 100MA SOT666


Win Source:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT666


BCM847BV,115中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 290

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-666-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BCM847BV,115
型号: BCM847BV,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BCM847BV,115  双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-666
替代型号BCM847BV,115
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