NXP BCM847BV,115 双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-666
Bipolar BJT Transistor Array
得捷:
NEXPERIA BCM847BV - SMALL SIGNAL
e络盟:
NXP BCM847BV,115 双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-666
艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SOT-666 T/R
富昌:
BCM847BV 系列 45 V 100 mA NPN/NPN 匹配 双 晶体管 - SOT666
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SS-Mini T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
Newark:
# NXP BCM847BV,115 Bipolar Transistor Array, NPN, 45 V, 300 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-666
DeviceMart:
TRANS NPN/NPN 45V 100MA SOT666
Win Source:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT666
频率 250 MHz
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 290
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-666-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCM847BV,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCM847BV 恩智浦 | 完全替代 | BCM847BV,115和BCM847BV的区别 |
BC847BVC-7 美台 | 功能相似 | BCM847BV,115和BC847BVC-7的区别 |