NXP BCM857DS,115 双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 380 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-457
The is a dual PNP matched double Bipolar Transistor Array in a small surface-mount plastic package. The transistor is fully isolated internally and suitable for current mirror and differential amplifier.
频率 175 MHz
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 380 mW
增益频宽积 175 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
测试电流 5 mA
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
稳压值 3.3 V
额定功率Max 380 mW
直流电流增益hFE 290
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 380 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
长度 0.25 in
宽度 0.25 in
高度 0.25 in
封装 SOT-457
重量 0.004535924 kg
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCM857DS,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCM857DS,135 恩智浦 | 类似代替 | BCM857DS,115和BCM857DS,135的区别 |
BCM857DS 安世 | 功能相似 | BCM857DS,115和BCM857DS的区别 |