BAT54SW,115

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BAT54SW,115概述

200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

肖特基势垒,200mA 至 500mA,Nexperia

高效

超小薄型表面安装封装

经优化适用于低正向电压降和高结温

低电容

可忽略的功率切换损耗

低漏泄电流


得捷:
NEXPERIA BAT54SW - RECTIFIER DIO


欧时:
### 肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。


艾睿:
Diode Schottky 30V 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


富昌:
BAT54W Series 30 V 600 mA SMT Schottky Barrier Double Diode - SOT-323


Verical:
Diode Schottky 30V 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# NXP  BAT54SW,115  Small Signal Schottky Diode, Single Pair Series, 40 V, 200 mA, 650 mV, 1 A, 150 °C


Win Source:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323


BAT54SW,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

正向电压 800mV @100mA

耗散功率 230 mW

反向恢复时间 5 ns

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA

正向电压Max 800 mV

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150℃ Max

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

重量 0.004535924 kg

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Safety, 测试与测量, 安全, Test & Measurement, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BAT54SW,115
型号: BAT54SW,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:200mA 至 500mA,NXP Semiconductors 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
替代型号BAT54SW,115
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