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BAS85,115概述

NXP BAS85,115 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C

The is a planar Schottky Barrier Diode with an integrated guard ring for stress protection, with tin-plated metal discs at each end. It is suitable for automatic placement and as such it can withstand immersion soldering.

.: Low forward voltage

.: High breakdown voltage

.: Guard-ring protected

.: 10pF Capacitance

BAS85,115中文资料参数规格

技术参数

针脚数 2

正向电压 800mV @100mA

热阻 320℃/W RθJA

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流（Ifsm） 5 A

正向电压Max 800 mV

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 125℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-80

外形尺寸

长度 3.7 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOD-80

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用测试与测量, 电源管理, Power Management, Test & Measurement

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BAS85,115

型号： BAS85,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP BAS85,115 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C

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替代型号BAS85,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BAS85,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
BAS85.115 恩智浦	类似代替	BAS85,115和BAS85.115的区别
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