BAS16W,115

BAS16W,115图片1
BAS16W,115图片2
BAS16W,115图片3
BAS16W,115图片4
BAS16W,115图片5
BAS16W,115图片6
BAS16W,115图片7
BAS16W,115图片8
BAS16W,115图片9
BAS16W,115图片10
BAS16W,115图片11
BAS16W,115图片12
BAS16W,115概述

NXP Semiconductors### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

The BAS16 series high-speed Switching Diode encapsulated in a small surface-mounted device SMD plastic package. It is used for general purpose switching.

.
Low capacitance
.
Low leakage current
.
* AEC-Q101 qualified

得捷:
DIODE GEN PURP 100V 175MA SOT323


艾睿:
Diode Switching 100V 0.175A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Diode Switching 100V 0.175A 3-Pin SC-70 T/R


富昌:
BAS16 系列 100 V 200 mA 表面贴装 高速 开关二极管 - SOT-323


Chip1Stop:
Diode Switching 100V 0.175A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Diode Switching 100V 0.175A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# NXP  BAS16W,115  Small Signal Diode, Switching, Single, 100 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A


BAS16W,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

正向电压 1.25 V

耗散功率 200 mW

热阻 625℃/W RθJA

反向恢复时间 4 ns

正向电流 175 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 4 A

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 175 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

重量 0.004535924 kg

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BAS16W,115
型号: BAS16W,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
替代型号BAS16W,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BAS16W,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BAS16W

恩智浦

完全替代

BAS16W,115和BAS16W的区别

BAT854SW,115

恩智浦

类似代替

BAS16W,115和BAT854SW,115的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台