BLF6G20LS-75,118参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BLF6G20LS-75,118中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 235 mΩ

漏源击穿电压 65 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-502-3

外形尺寸

长度 20.7 mm

宽度 9.91 mm

高度 4.72 mm

封装 SOT-502-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF6G20LS-75,118

型号： BLF6G20LS-75,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 3Pin SOT-502B T/R

替代型号BLF6G20LS-75,118

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BLF6G20LS-75,118 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
BLF6G20-110,112 恩智浦	类似代替	BLF6G20LS-75,118和BLF6G20-110,112的区别
BLF6G20-45,112 恩智浦	类似代替	BLF6G20LS-75,118和BLF6G20-45,112的区别
BLF6G20LS-75 恩智浦	类似代替	BLF6G20LS-75,118和BLF6G20LS-75的区别