BLF7G27L-100,118

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BLF7G27L-100,118中文资料参数规格
技术参数

频率 2.6GHz ~ 2.7GHz

漏源极电阻 100 mΩ

阈值电压 1.8 V

漏源击穿电压 65 V

输出功率 25 W

增益 17.5 dB

测试电流 900 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-502-3

外形尺寸

长度 34.16 mm

宽度 19.94 mm

高度 4.72 mm

封装 SOT-502-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF7G27L-100,118
型号: BLF7G27L-100,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:Blf7g27l-100 - Ldmos功率晶体管

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