BLF6G27-100,112

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BLF6G27-100,112中文资料参数规格
技术参数

阈值电压 2 V

漏源击穿电压 65 V

输出功率 14 W

增益 17 dB

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF6G27-100,112
型号: BLF6G27-100,112
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502A Bulk

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