BLD6G21LS-50,112

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BLD6G21LS-50,112中文资料参数规格
技术参数

频率 2.02 GHz

额定电流 10.2 A

输出功率 8 W

增益 13.5 dB

测试电流 170 mA

封装参数

封装 SOT1130B

外形尺寸

封装 SOT1130B

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLD6G21LS-50,112
型号: BLD6G21LS-50,112
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 10.2A 5Pin CDFM Bulk

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