BLF6G38-50,112

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BLF6G38-50,112中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 290 mΩ

漏源击穿电压 65 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-502-3

外形尺寸

长度 20.02 mm

宽度 9.91 mm

高度 4.72 mm

封装 SOT-502-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF6G38-50,112
型号: BLF6G38-50,112
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 16.5A 3Pin SOT-502A Bulk
替代型号BLF6G38-50,112
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLF6G38-50,112

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