BLF7G15LS-300P,112

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BLF7G15LS-300P,112中文资料参数规格
技术参数

频率 1.47GHz ~ 1.51GHz

额定电流 45 A

漏源极电阻 65 mΩ

阈值电压 1.9 V

漏源击穿电压 65 V

输出功率 85 W

增益 18 dB

测试电流 2.6 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-502-3

外形尺寸

封装 SOT-502-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF7G15LS-300P,112
型号: BLF7G15LS-300P,112
制造商: NXP 恩智浦
描述:Blf7g15ls-300p - 功率Ldmos晶体管

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