BUF602IDR参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BUF602IDR概述

高速，闭环缓冲 High-Speed, Closed-Loop Buffer

Buffer Amplifier 1 Circuit 8-SOIC

得捷:
IC BUFFER 1 CIRCUIT 8SOIC

贸泽:
高速运算放大器 High Speed Closed Loop Buffer

艾睿:
OP Amp Single GP ±6.3V/12.6V 8-Pin SOIC T/R

Win Source:
High-Speed, Closed-Loop Buffer

BUF602IDR中文资料参数规格

技术参数

供电电流 5.8 mA

电路数 1

通道数 1

转换速率 8.00 kV/μs

增益频宽积 1 GHz

输入补偿电压 16 mV

输入偏置电流 3 µA

可用通道 S

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -45 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -45℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

BUF602IDR引脚图与封装图

BUF602IDR引脚图

BUF602IDR封装图

BUF602IDR封装焊盘图

在线购买BUF602IDR

型号： BUF602IDR

制造商： TI 德州仪器

描述：高速，闭环缓冲 High-Speed, Closed-Loop Buffer

替代型号BUF602IDR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BUF602IDR TI 德州仪器	当前型号	当前型号
BUF602ID 德州仪器	完全替代	BUF602IDR和BUF602ID的区别
BUF602IDRG4 德州仪器	完全替代	BUF602IDR和BUF602IDRG4的区别
BUF602IDG4 德州仪器	类似代替	BUF602IDR和BUF602IDG4的区别