BLF6G38-100,112

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BLF6G38-100,112中文资料参数规格
技术参数

频率 3.4GHz ~ 3.6GHz

额定电流 34 A

漏源极电阻 150 mΩ

阈值电压 2 V

漏源击穿电压 65 V

输出功率 18.5 W

增益 13 dB

测试电流 1.05 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-502-3

外形尺寸

封装 SOT-502-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF6G38-100,112
型号: BLF6G38-100,112
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF MOSFET Transistors Trans MOSFET N-CH 65V 34A 3Pin

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