BDV64-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

BDV64-S概述

PNP硅功率DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS

Bipolar BJT Transistor PNP - Darlington 60V 12A 3.5W Through Hole SOT-93

得捷:
TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93

艾睿:
Trans Darlington PNP 60V 12A 3-Pin3+Tab SOT-93

BDV64-S中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V

额定功率Max 3.5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-218-3

外形尺寸

封装 TO-218-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BDV64-S

型号： BDV64-S

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：PNP硅功率DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS