BDV65A-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

BDV65A-S概述

SOT-93 NPN 80V 12A

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 12A 3.5W Through Hole SOT-93

得捷:
TRANS NPN DARL 80V 12A SOT93

艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 12A 3-Pin3+Tab SOT-93

BDV65A-S中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V

额定功率Max 3.5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-218-3

外形尺寸

封装 TO-218-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BDV65A-S

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：SOT-93 NPN 80V 12A