BD649-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

BD649-S概述

NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 100V 8A 2W Through Hole TO-220

得捷:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 8A 62500mW 3-Pin3+Tab TO-220

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin3+Tab TO-220

Verical:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin3+Tab TO-220

BD649-S中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 750 @3A, 3V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 62500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BD649-S引脚图与封装图

在线购买BD649-S

型号： BD649-S

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS

替代型号BD649-S