BD651-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

BD651-S概述

TO-220 NPN 120V 8A

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 120V 8A 2W Through Hole TO-220

得捷:
TRANS NPN DARL 120V 8A TO220

艾睿:
Trans Darlington NPN 120V 8A 62500mW 3-Pin3+Tab TO-220

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 120V 8A 3-Pin3+Tab TO-220

TME:
Transistor: bipolar, Darlington, NPN; 120V; 8A; 62.5W; TO220

BD651-S中文资料参数规格

技术参数

额定功率 62.5 W

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 750 @3A, 3V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 62500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BD651-S

型号： BD651-S

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：TO-220 NPN 120V 8A