BC372G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC372G概述

高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington Transistors

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 100V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN DARL 100V 1A TO92

艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 1A 1500mW 3-Pin TO-92 Box

BC372G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1500 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： BC372G

描述：高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington Transistors

替代型号BC372G