BC368G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC368G概述

电压和电流均为负 Voltage and Current are Negative

Bipolar BJT Transistor NPN 20V 1A 65MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 20V 1A TO92

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 1A 25V NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Box

BC368G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 56 MHz

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： BC368G

描述：电压和电流均为负 Voltage and Current are Negative

替代型号BC368G