NPN外延硅晶体管开关和放大器的应用 NPN Epitaxial Silicon Transistor Switching and Amplifier Applications
Bipolar BJT Transistor NPN 25 V 800 mA - 310 mW Surface Mount SOT-23-3
得捷:
TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP
艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 800A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 800A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS NPN 25V 0.8A SOT-23
额定电压DC 25.0 V
额定电流 800 mA
耗散功率 310 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99