NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Bipolar BJT Transistor NPN 60V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 60V 1A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-92 Bulk
富昌:
BC637 系列 60 V 1 A 通孔 NPN 外延硅晶体管 - TO-92-3
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-92 Bulk
Win Source:
TRANS NPN 60V 1A TO-92
频率 100 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 160
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BC637 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BC637_D27Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | BC637和BC637_D27Z的区别 |
BC637G 安森美 | 功能相似 | BC637和BC637G的区别 |
BC637RL1G 安森美 | 功能相似 | BC637和BC637RL1G的区别 |