BDV64C-S

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BDV64C-S概述

达林顿晶体管 120V 12A PNP

Bipolar BJT Transistor PNP - Darlington 120V 12A 3.5W Through Hole SOT-93


得捷:
TRANS PNP DARL 120V 12A SOT93


贸泽:
达林顿晶体管 120V 12A PNP


艾睿:
Trans Darlington PNP 120V 12A 125000mW 3-Pin3+Tab SOT-93


Verical:
Trans Darlington PNP 120V 12A 3-Pin3+Tab SOT-93


BDV64C-S中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V

额定功率Max 3.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-218-3

外形尺寸

长度 15.2 mm

宽度 4.9 mm

高度 12.2 mm

封装 TO-218-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BDV64C-S
型号: BDV64C-S
制造商: Bourns J.W. Miller 伯恩斯
描述:达林顿晶体管 120V 12A PNP

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