BC849CMTF

BC849CMTF图片1
BC849CMTF图片2
BC849CMTF图片3
BC849CMTF图片4
BC849CMTF图片5
BC849CMTF中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.31 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 310 mW

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC849CMTF
型号: BC849CMTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
替代型号BC849CMTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC849CMTF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

BC848CMTF

飞兆/仙童

类似代替

BC849CMTF和BC848CMTF的区别

BC848BLT1G

安森美

功能相似

BC849CMTF和BC848BLT1G的区别

BC848CLT1G

安森美

功能相似

BC849CMTF和BC848CLT1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台