BC848CDXV6T1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BC848CDXV6T1图片1

BC848CDXV6T1中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.5 W

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-563-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC848CDXV6T1

型号： BC848CDXV6T1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

替代型号BC848CDXV6T1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC848CDXV6T1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC848CDW1T1G 安森美	功能相似	BC848CDXV6T1和BC848CDW1T1G的区别
BC848CDXV6T1G 安森美	功能相似	BC848CDXV6T1和BC848CDXV6T1G的区别
BC848CDXV6T5 安森美	功能相似	BC848CDXV6T1和BC848CDXV6T5的区别