BF421ZL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BF421ZL1G概述

高电压晶体管 High Voltage Transistors

Bipolar BJT Transistor PNP 300V 50mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 300V 0.05A TO92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo

BF421ZL1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -300 V

额定电流 -50.0 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V

额定功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BF421ZL1G

描述：高电压晶体管 High Voltage Transistors

替代型号BF421ZL1G