DPAK NPN 350V 4A
Bipolar BJT Transistor NPN 350V 4A 25W Surface Mount DPAK
得捷:
TRANS NPN 350V 4A DPAK
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 4A 650V 25W NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 4A 3-Pin2+Tab DPAK Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 350V 4A 3-Pin2+Tab DPAK Rail
额定电压DC 350 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 25 W
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BUD42DG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BUD42DT4 安森美 | 完全替代 | BUD42DG和BUD42DT4的区别 |
BUD42D 安森美 | 完全替代 | BUD42DG和BUD42D的区别 |
BUD42DT4G 安森美 | 类似代替 | BUD42DG和BUD42DT4G的区别 |