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BD249CG概述

NPN大功率三极管 NPN High−Power Transistor

NPN High−Power Transistor

NPN high−power transistors are for general−purpose power amplifier and switching applications.

Features

• ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V

Human Body Model, 3B; > 8000 V

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125

• Pb−Free Package is Available

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25A 100V 125W NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 25A 3-Pin3+Tab SOT-93 Rail

BD249CG中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-93-3

外形尺寸

长度 15.2 mm

宽度 4.9 mm

封装 SOT-93-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BD249CG

型号： BD249CG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：NPN大功率三极管 NPN High−Power Transistor

替代型号BD249CG