SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
Bipolar BJT Transistor NPN 250V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3
得捷:
TRANS NPN 250V 40A TO204
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 40A 250V 250W NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 40A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
额定电压DC 250 V
额定电流 40.0 A
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 40A
最小电流放大倍数hFE 20 @10A, 4V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-204-2
长度 38.86 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
最小包装 100
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BUV22 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BUV22G 安森美 | 类似代替 | BUV22和BUV22G的区别 |