BC846BPDW1T1

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BC846BPDW1T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 65.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN+PNP

耗散功率 380 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BC846BPDW1T1
型号: BC846BPDW1T1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:双路通用晶体管( NPN / PNP对偶) Dual General Purpose TransistorsNPN/PNP Duals
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