BST15,115

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BST15,115概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS HV TAPE-7

Bipolar BJT Transistor PNP 200V 200mA 15MHz 1.3W Surface Mount SOT-89-3


得捷:
TRANS PNP 200V 0.2A SOT89-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS HV TAPE-7


艾睿:
Trans GP BJT PNP 200V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


BST15,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 1300 mW

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 1.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BST15,115
型号: BST15,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS HV TAPE-7
替代型号BST15,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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