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BCW33LT1概述

通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorNPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN 32V 100mA 300mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

BCW33LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 32.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： BCW33LT1

描述：通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorNPN Silicon

替代型号BCW33LT1