BC859CMTF参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC859CMTF概述

PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features

• Switching and Amplifier Applications

• Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits

• Low Noise: BC859, BC860

• Complement to BC846 ... BC850

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23

BC859CMTF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 310 mW

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC859CMTF

型号： BC859CMTF

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

替代型号BC859CMTF