BC636

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BC636概述

PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS

·Complement to BC635/637/639


得捷:
TRANS PNP 45V 1A TO92-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TO-92 PNP GP AMP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 1A 3-Pin TO-92 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 1A 3-Pin TO-92 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC636  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 1 W, -1 A, 40 hFE


BC636中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC636
型号: BC636
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
替代型号BC636
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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