通用晶体管( PNP硅) General Purpose TransistorsPNP Silicon
Bipolar BJT Transistor PNP 45V 500mA 100MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
TRANS PNP 45V 500MA SOT23
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 225 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BC807-40LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC807-40LT1G 安森美 | 类似代替 | BC807-40LT1和BC807-40LT1G的区别 |
BC807-40LT3G 安森美 | 类似代替 | BC807-40LT1和BC807-40LT3G的区别 |
BC80740MTF 安森美 | 类似代替 | BC807-40LT1和BC80740MTF的区别 |