BC238A参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC238A概述

NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 25V 100mA 250MHz 500mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 25V 100mA HFE/22

艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk

BC238A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 500 mW

集电极击穿电压 30.0 V

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC238A

型号： BC238A

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

替代型号BC238A