PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | −80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | −65V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 110~220 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 310mW/0.31W Description & Applications | Switching and Amplifier Applications • Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits • Low Noise: BC859, BC860 • Complement to BC846 ... BC850 描述与应用 | 开关和放大器应用 •适用于自动插入厚薄膜电路 •低噪声：BC859，BC860 •补BC846... BC850
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 310 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 800
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC856AMTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BC856A Diotec Semiconductor | 功能相似 | BC856AMTF和BC856A的区别 |
BC856 三星 | 功能相似 | BC856AMTF和BC856的区别 |