BD539B-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

BD539B-S概述

TO-220 NPN 80V 5A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 5A 2W Through Hole TO-220

得捷:
TRANS NPN 80V 5A TO220

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 80V 5A NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin3+Tab TO-220

BD539B-S中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 45 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 12 @3A, 4V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BD539B-S

型号： BD539B-S

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：TO-220 NPN 80V 5A

替代型号BD539B-S