BC237B参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC237B概述

NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 45 V 100 mA 250MHz 500 mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk

BC237B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC237B

型号： BC237B

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

替代型号BC237B