BCP56T3

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BCP56T3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.57 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCP56T3
型号: BCP56T3
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial Transistor
替代型号BCP56T3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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