电压和电流均为负 Voltage and Current are Negative
Bipolar BJT Transistor PNP 20V 1A 65MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 20V 1A TO92
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1A 25V PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 20V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 20V 1A 3-Pin TO-92 Bulk
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC369G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC369ZL1G 安森美 | 类似代替 | BC369G和BC369ZL1G的区别 |
BC369,112 恩智浦 | 功能相似 | BC369G和BC369,112的区别 |
36925 恩智浦 | 功能相似 | BC369G和36925的区别 |