BC848BWT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC848BWT1概述

通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 SOT323

得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R

BC848BWT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： BC848BWT1

描述：通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon

替代型号BC848BWT1