BUV21

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BUV21概述

SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

SWITCHMODE™ Series NPN Silicon Power Transistor

This device is designed for high speed, high current, high power applications.

Features

• High DC Current Gain:

   hFE min = 20 at IC = 12 A

• Low VCEsat, VCEsat

   max = 0.6 V at IC = 8 A

• Very Fast Switching Times:

   TF max = 0.4 μs at IC = 25 A

• These are Pb−Free Devices
.

艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 40A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray


BUV21中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 40.0 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 40A

最小电流放大倍数hFE 20

最大电流放大倍数hFE 60

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

最小包装 100

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BUV21
型号: BUV21
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
替代型号BUV21
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUV21

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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BUV21G

安森美

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