功率晶体管4安培800伏50瓦 POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS
Bipolar BJT Transistor NPN 500V 4A 4MHz 50W Through Hole TO-220AB
得捷:
TRANS NPN 500V 4A TO220
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 4A 500V 50W NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 500V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
额定电压DC 500 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 50 W
击穿电压集电极-发射极 500 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 5 @2A, 5V
额定功率Max 50 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BUH50 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BUH50G 安森美 | 完全替代 | BUH50和BUH50G的区别 |