BCW60C

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BCW60C中文资料参数规格
技术参数

频率 125 MHz

额定电压DC 32.0 V

额定电流 100 mA

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 32 V

最小电流放大倍数hFE 250

最大电流放大倍数hFE 460

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCW60C
型号: BCW60C
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
替代型号BCW60C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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